• 合作伙伴
  • 技术支持
  • 服务客户
  • 应用领域
  • 联系我们
  • 联系方式
  • 在线留言
  • 招聘信息
  • 技术服务
    您所在位置:Home > 技术服务 > 技术指南 >
    技术指南   常见问题      资料下载   

     技术指南

    1、HiTransferTM AlSiC系列

     
    HiTransferTM  AlSiC Based Material Properties
    Properties
    AlSiC-7
    AlSiC-9
    AlSiC-11
    Thermal Conductivity (25°C)
    W/m·K
    180
    180
    175
    Coefficient of Thermal Expansion (25~125°C)
    ppm/K
    7.2
    9.3
    11.2
    Density, g/cm3
    3.01
    2.93
    2.89
    Young’s Modulus, GPa
    195
    175
    172
    Flexural Strength, MPa
    405
    390
    383

     
    2、AlSiC产品应用与设计指南
     
    (1)AlSiC作为凯发k8真实地址材料的基本特点
  •  热膨胀系数低(可调节):与Si、GaAs、AlN等无机陶瓷基片材料热匹配良好;
  •  热导率高:大大高于Kovar合金,可有效地扩散大功率芯片产生的热量;
  •  密度小:密度大大低于W/Cu、Mo/Cu和Kovar合金,可有效减重;
  •  比强度和比模量高: 比模量是Kovar和W/Cu的4倍、Mo/Cu的2倍。
     
  • 典型凯发k8真实地址及散热材料的性能对比
     
    AlSiC
    Kovar
    Cu/W(15/85)
    Cu/Mo(15/85)
    Copper
    Al
    CTE (ppm/K)
    4.8-16
    5.9
    7.2
    7
    17
    24
    Thermal Cond.
    (W/m·K)
    132-255
    14
    190
    160
    400
    210
    Density
    (g/cm3)
    2.77-3.1
    8.1
    17
    10
    8.9
    2.70
    Specific
    Stiffness
    (GPa·cm3/g)
    38-108
    16
    16
    28
    5
    26
     
    (2)AlSiC凯发k8真实地址基片与管壳加工的尺寸与形状精度
    应用于凯发k8真实地址领域的中高体积分数AlSiC材料可以进行电火花加工和车铣钻磨等机械加工,我们以提供全部为加工表面的AlSiC凯发k8真实地址基片和管壳为主,垂直面无拔模斜度。目前可达到的加工精度如下:
  •  平面度:<0.05mm (100mm)
  •  长宽高度:±0.02mm (max)
  •  表面粗糙度:<1.6mm
  •  通孔直径:F>0.3mm
  •  盲孔直径:F>2.5mm
  •  内腔圆角:R>1.0mm
  •  腔体或台阶根部圆角:R>0.1mm
  •  螺纹孔:M>2.5mm
  •  

      内孔螺纹加工示例    

    台阶孔及内腔圆角加工示例

     
                     
     
    3、HARVEST产品的工艺与技术特点
     
    (1)高强度SiC预制件制备技术
    通过采用高性能的粘结剂,所制备的SiC陶瓷预制件的弯曲强度可达20MPa,可承受浸渗过程中的高压。
    (2)高性能AlSiC真空压力浸渗技术
    采用高效、可靠的真空压力浸渗工艺,制备的AlSiC复合材料具有浸渗均匀、致密、界面反应小等优点。
    (3)高精度AlSiC加工技术
    采用通用刀具和设备对AlSiC进行高精度的机械加工, 产品尺寸、形状精度高,可更好地满足各类凯发k8真实地址应用的要求。
    (4)高质量AlSiC表面镀覆技术
    AlSiC表面可进行化学镀Ni-P、镀Au等处理,可满足400°C、10min或420°C、5min的高温考核要求。
    首页
    电话
    短信
    联系